国民技术面试20200910
囯民技术电话面试202009101、两级运放中零极点的位置?主极点在哪,次极点在哪?加入密勒补偿以后,怎么变化的?如果电流增大,会有什么变化?第一极点在第二级运放的输入和输出之间,次极点在第二级输出,加入密勒...
发布时间:2023-01-17
囯民技术电话面试202009101、两级运放中零极点的位置?主极点在哪,次极点在哪?加入密勒补偿以后,怎么变化的?如果电流增大,会有什么变化?第一极点在第二级运放的输入和输出之间,次极点在第二级输出,加入密勒...
发布时间:2023-01-17
双极型晶体管是最早发明的半导体器件,在早期的集成电路生产中双极型工艺曾是唯一可能的工艺。双极型工艺凭借其高速、高跨导、低噪声以及较高的电流驱动能力等方面的优势,发展很快。同时,双极型晶体管是电流控制...
发布时间:2023-01-17
MEDICI仿真NMOS器件晶体管 TITLE TMA MEDICI Example 1 - 1.5 Micron N-Channel MOSFET 给本例子取的标题,对实际的模拟无用 COMMENT语句表示该行是注释 MESH SMOOTH=1 创建器件结构的第一步是定义一个初始的...
发布时间:2023-01-14
集成电路版图设计作者:陆学斌 主编出版时间:2012年版内容简介《集成电路版图设计》主要介绍集成电路版图设计,主要内容包括半导体器件和集成电路工艺的基本知识,集成电路常用器件的版图设计方法,流行版图设计...
发布时间:2023-01-11
集成电路版图设计作者:陆学斌 主编出版时间:2012年版内容简介《集成电路版图设计》主要介绍集成电路版图设计,主要内容包括半导体器件和集成电路工艺的基本知识,集成电路常用器件的版图设计方法,流行版图设计...
发布时间:2023-01-11
为什么CMOS工艺采用P衬底,而不用N衬底? 这主要从两个方面来考虑:一个是材料和工艺问题;另一个是电气性能问题。 P型半导体是在单晶硅(或锗)中参入微量的三价元素,如:硼、铟、镓或铝等;N型半导体是在单晶硅...
发布时间:2023-01-11
简述了晶体管由 BJT→PMOS→NMOS→COMS→先进制程 的发展过程,及期间所遇到的技术难点、解决方案。也介绍了先进制程的现状及所面临的挑战;
发布时间:2022-10-10
IDM :集成电路制造商(Integrated Device Manufactory),集设计、制造和封装测试于一体,如Intel、Samsung Fable :只做芯片设计,如高通、海思 Foundry : 标准工艺加工、代客加工,没有自己的产品 台积电 中芯...
发布时间:2022-10-06
二极管和三极管的区别 什么是二极管 二极管,(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(Varicap Diode)则用来当作电子式...
发布时间:2022-09-13
SVF28N50PN是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构,使得该产品具有较低的导通电阻,优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该...
发布时间:2022-09-10