利用二极管的P-N结的I-V特性测量Boltzmann常数
在网文 An Electronic Mesurement of the Boltzmann’s Constant Using I-V Characterisctic of a Silicon 2N2309 Diode 中介绍了使用三极管2N3094来测量 Boltzmann Constant 的方法。 ▲ Ludwig Boltzmann(1844-...
发布时间:2023-01-14
在网文 An Electronic Mesurement of the Boltzmann’s Constant Using I-V Characterisctic of a Silicon 2N2309 Diode 中介绍了使用三极管2N3094来测量 Boltzmann Constant 的方法。 ▲ Ludwig Boltzmann(1844-...
发布时间:2023-01-14
我们根据电阻端接的介绍可以知道:我们通过在电路输出管脚出串联一个33Ω的电阻。但是我们我们可以观察到有些电路中的信号,竟然有串联220Ω,甚至1kΩ。这是为什么呢?...首先我们介绍一下CMOS电路:MOS管...
发布时间:2023-01-14
Integrated_Circuits电子信息类专业英语、计算机类专业英语.doc (9页) 本资源提供全文预览,点击全文预览即可全文预览,如果喜欢文档就下载吧,查找使用更方便哦!9.9 积分Integrated Circuits(集成电路)The ...
发布时间:2023-01-14
MEDICI仿真NMOS器件晶体管 TITLE TMA MEDICI Example 1 - 1.5 Micron N-Channel MOSFET 给本例子取的标题,对实际的模拟无用 COMMENT语句表示该行是注释 MESH SMOOTH=1 创建器件结构的第一步是定义一个初始的...
发布时间:2023-01-14
双极型晶体管是由两个方向相反的 PN 结构成的三端器件,主要有两种基本结构:PNP 型晶体管和 NPN 型晶体管。NPN 型晶体管的结构如图 1 所示。图中,位于中间的 P 区为基区,基区很薄,掺杂浓度很低;位于上层
发布时间:2023-01-14
硅谷始祖-仙童半导体浮沉录“这家半导体公司就像成熟了的蒲公英,你一吹它,它这种创业的精神的种子就随处飘扬了。”这是苹果的总裁乔布斯评价这家公司的一句话。这家享受盛誉的公司就是我们今天要介绍...
发布时间:2023-01-14
Latch up 最易产生在易受外部干扰的I/O电路处, 也偶尔发生在内部电路。 1. 原理 Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和...(ii) 两个晶体管反馈回路(feedback loop)增益的乘积大于1; PNP为一垂直式PNP
发布时间:2023-01-14
ZEROOXIDE 的作用是什么? 第一是为后序的ZERO PHOTO时做PR的隔离,防止PR直接与Si接触,造成污染。 PR中所含的有机物很难清洗。 第二,WAFTER MARK是用激光来打的,在Si表面引致的融渣会落在OXIDE上,不 ...
发布时间:2023-01-06
导读周末了,下面这些书,是我作为一个 计算机科学与技术出身的嵌入式软件工程师,出于自身的兴趣爱好且为了更好和硬件工程师们协作,从自身的角度出发而搜集到的信息,仅供参考,不构成专业建议。...
发布时间:2022-11-22