分立器件成品参数

成品参数分立器件
平面高压MOS
SVF28N50PNN通道增强高压功率MOS采用士兰微电子的场效晶体管F-CellTM平面高压VDMOS工艺制造。先进的工艺和条状原胞设计结构使产品具有较低的导电阻、优异的开关性能和较高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器、高压H桥PWM马达驱动。

主要特点
? 28A，500V，RDS(on)(典型值)=0.15W@VGS=10V
? 低栅极电荷
? 低反向传输电容
? 开关速度快
? 提升了dv/dt能力
? 100%雪崩测试
? 无铅管脚涂层
? 符合RoHS环保标准
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200A，650V IGBT模块
SGM200HF6A1TFD适用于不间断电源、交流变频驱动器、焊机等。
主要特点
? 200A，650V，VCE(sat)(典型值) =1.60V@IC=200A
? VCE(sat)带正温度系数
? 抗短路能力高
? 低开关损耗
? 采用绝缘铜底板DBC技术
产品规格分类

内部框图

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封装外形图

SU0504A6G/SAG
SU0504A6G/SAG它是一种大电流瞬态电压抑制流瞬态电压抑制器，每个通道都包含一对ESD将正负静电放电电流引导到正钳位电压端和负钳位电压端。此外，该装置内部还集成了稳压管。一般在应用中，SU0504A6G/SAG负钳位端与受保护电路的地线连接，使正放电电流通过内置稳压管流向地线，保护受保护电路的电源端。
SU0504A6G/SAG适合USB2.以及数据传输线ESD保护。
主要特点
? 四通道ESD保护结构；
? 满足IEC61000-4-2(ESD) ：±30KV(空气放电)
±30KV（接触放电）；
? 输入端对地不大于5.0pF超低电容结构；
? I/O通道之间的电容不大于3.0pF；
? 钳位电压很低；
? 峰值电流较高；
? 可靠的硅装置雪崩击穿结构；
? SOT-23-6L/ SOP-8-225-1.27封装外形；
? 5V工作电压低。
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封装外形图

SFR20F60F2
超快恢复二极管
SFR20F60F2.超快恢复二极管设备采用先进的硅延伸平面工艺，精心设计工艺参数和图形结构，使该系列产品具有较低的正压降和超快的反向恢复时间。
精确的外延掺杂控制、先进的平面结终端保护结构和铂掺杂控制少子寿命保证了产品具有最佳的综合参数、高耐久性和可靠性指标。
该产品可广泛应用于开关电源，UPS以及PFC等领域。
主要特点
? 35ns的超快恢复时间
? 低的正向压降
? 漏电流小
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SJT0281NPN
NPN型硅三极管
SJT0281NPN NPN采用石兰微电子先进的硅平面工艺、三重扩散、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、200微米以下薄芯片等先进技术制造的低频大功率管SJT0281NPN具有耐热性低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和包装设计提高了设备的抗二次击穿性。
本产品主要用于家用电器，AV设备、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，线性范围宽，失真度低。
SJT0281NPN三极管采用TO-3P封装外形。
与SJT0281NPN配对的互补PNP管：SJT0302PPN。
主要特点
? 击穿电压余量较高。
? 漏电电流很低。
? 高输出功率：150W；
? 二次击穿耐量和可靠性较高。
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封装外形图

二极管肖特基(SBD)
SBT20UL45AR6是采用Trench小特基整流二极管由结构制成，广泛应用于各种电子线路，如开关电源、保护电路等。
主要特点
? 高电流冲击能力
? 功耗低，效率高
? 正向压降低
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参考链接：
http://www.sinyang.com.cn/product/6/