晶体管(58702)
过滤结果：58702
品牌
系列
晶体管类型
工作温度
封装/外壳
 | IRF7904PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SOIC 数据手册 | 库存：1866 国内：1~2 天 立即购买 | HEXFET® | - | - | - | |
 | SQ3985EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP 数据手册 | 库存：2119 国内：1~2 天 立即购买 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | - | - | - | |
 | SIA923AEDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6L 数据手册 | 库存：2977 国内：1~2 天 立即购买 | TrenchFET® | - | - | - | |
 | HS8K11TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML 数据手册 | 库存：2443 国内：1~2 天 立即购买 | - | - | - | - | |
 | QS6M4TR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6 数据手册 | 库存：1483 国内：1~2 天 立即购买 | - | - | - | - | |
 | SI1900DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6 数据手册 | 库存：1500 国内：1~2 天 立即购买 | TrenchFET® | - | - | - | |
 | CSD83325L | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR 数据手册 | 库存：2109 国内：1~2 天 立即购买 | NexFET™ | - | - | - | |
 | NTHD4508NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET 数据手册 | 库存：1258 国内：1~2 天 立即购买 | - | - | - | - | |
 | IXGH60N60C3 | IXYS | IGBT 600V 75A 380W TO247AD 数据手册 | 库存：10 国内：1~2 天 立即购买 | GenX3™ | - | - | - | |
 | IXGH60N60C3D1 | IXYS | IGBT 600V 75A 380W TO247AD 数据手册 | 库存：4890 国内：1~2 天 立即购买 | GenX3™ | - | - | - | |
 | IXGH30N60C3D1 | IXYS | IGBT 600V 60A 220W TO247 数据手册 | 库存：20 国内：1~2 天 立即购买 | GenX3™ | - | - | - | |
 | NGTB35N60FL2WG | ON Semiconductor | IGBT 600V 70A 300W TO247 数据手册 | 库存：18 国内：1~2 天 立即购买 | - | - | - | - | |
 | IXA12IF1200PB | IXYS | IGBT 1200V 20A 85W TO220 数据手册 | 库存：25 国内：1~2 天 立即购买 | - | - | - | - | |
 | STGP10H60DF | STMicroelectronics | IGBT 600V 20A 115W TO220 数据手册 | 库存：20 国内：1~2 天 立即购买 | - | - | - | - | |
 | IKB20N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 166W TO263-3 数据手册 | 库存：14 国内：1~2 天 立即购买 | TrenchStop® | - | - | - | |
 | APT35GP120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 96A 543W TO247 数据手册 | 库存：17 国内：1~2 天 立即购买 | POWER MOS 7® | - | - | - | |
 | APT85GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 170A 962W TO264 数据手册 | 库存：1 国内：1~2 天 立即购买 | - | - | - | - | |
 | APT80GA60B | Microsemi Corporation | IGBT 600V 143A 625W TO247 数据手册 | 库存：11 国内：1~2 天 立即购买 | - | - | - | - | |
 | APT50GN120B2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 134A 543W TO-247 数据手册 | 库存：14 国内：1~2 天 立即购买 | - | - | - | - | |
 | APT68GA60B | Microsemi Corporation | IGBT 600V 121A 520W TO-247 数据手册 | 库存：23 国内：1~2 天 立即购买 | POWER MOS 8™ | - | - | - | |
 | IXGH40N120C3 | IXYS | IGBT 1200V 75A 380W TO247 数据手册 | 库存：6 国内：1~2 天 立即购买 | GenX3™ | - | - | - | |
 | APT25GN120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 67A 272W TO247 数据手册 | 库存：8 国内：1~2 天 立即购买 | - | - | - | - | |
 | IRGP4062DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 48A 250W TO247AC 数据手册 | 库存：1 国内：1~2 天 立即购买 | - | - | - | - | |
 | STGW10M65DF2 | STMicroelectronics | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 数据手册 | 库存：4 国内：1~2 天 立即购买 | M | - | - | - | |
 | IXGH50N90B2D1 | IXYS | IGBT 900V 75A 400W TO247AD 数据手册 | 库存：20 国内：1~2 天 立即购买 | HiPerFAST™ | - | - | - |
什么是光电传感器:
光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。其工作原理基于光电效应。光电效应是指光照射在某些物质上时，物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。根据光电效应现象的不同将光电效应分为三类：外光电效应、内光电效应及光生伏特效应。光电器件有光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池等。分析了光电器件的性能、特性曲线。