第一种解释

这主要从两个方面考虑：一是材料和工艺问题；二是电气性能问题。 P型半导体是在单晶硅(或锗)中加入微量三价元素，如硼、镓或铝；N在单晶硅(或锗)中加入微量五价元素，如磷、锑、砷等。P型半导体和N型半导体在材料成本上应该差别不大，但要做成电子产品，生产工艺上会有很大的差异。例如，用本征锗材料制成PNP与本征锗材料相比，晶体管是由本征锗材料制成的NPN晶体管容易得多，因为锆和锗容易结合(扩散)；同样，它是由本征硅材料制成的NPN与用本征硅材料制作的晶体管相比，PNP要容易得多。一种半导体生产工艺的诞生一天完美的，需要大量的实验和经验积累。早期生产的场效应管大部分是结型场效应管，这种结型场效应管在结构方面与PNP晶体管非常相似，两者的区别主要是基区引出电极的区别(基极与源极和漏极)。晶体管中间有一层（N区）当成一个电极引出称为基极，其余上下两层（P-P区)分别作为发射极和集电极引出；场效应管将基区视为导电沟（N沟通)，并在两端引出一个电极，称为源极和漏极，其余两层（P-P当源极和栅极分别引出区)。绝缘栅场效应管从结型场效应管演变而来，结型场效应管中的栅极（P用金属氧化物代替型半导体可以成为绝缘栅场效应管，简称mos管。早期的MOS大量管道采用N沟结构（N以P型半导体为衬底的沟通结构)，P沟通结构的场效应管（P沟道结构采用N型半导体做衬底）的诞生，相对要比N沟通结构的场效应管晚。可能是因为工艺原因，P沟场效应管的价格一直远高于n沟场效应管，但电性能却远低于n沟结构场效应管，因此，P很少有人使用沟场效应管。P沟场效应管比N沟场效应管电性能差的主要原因是沟材的电气性能不同。电子在N沟中参与导电，而在P沟中参与导电的是空穴，两者在单位电场强度下的迁移率相差很大。电子迁移率远大于空穴迁移率，即N沟的导电性能优于P沟。因此，N沟场效应管的导通速度或工作频率远高于P沟场效应管。此外，用于生产场效应管栅极的金属氧化物与N型半导体的接点电位差，与P型半导体的接点电位差，不仅值不同，而且极性也不同。金属氧化物作为场效应管栅极，与P型半导体的接点电位差低于N型半导体的接点电位差(绝对值)。因此，P沟场效应管和N沟场效应管的工作电压极性也不同，两者好相反，输入输出特性也不完全相同。P输入、输出特性及沟道场效应管PNP晶体管的输入、输出特性相似；而N输入、输出特性及沟道场效应管NPN晶体管的输入输出特性相似。但场效应管属于电压控制特性，而晶体管属于电流控制特性，两者仍存在本质区别。所谓节点电位差，是指当两个不同性质的物体相互接触时，两个物体接触界面产生的电位差（一个带正电，另一个带负电）。MOS由于早期生产，管道的诞生相对较早MOS与晶体管相比，管道可靠性差，因此MOS管道延迟未大量使用。直到微型计算机和大量数字电路产品出现，特别是CMOS大规模集成电路技术诞生后， MOS广泛使用管道。CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor, 互补金属氧化物半导体是由两种工艺（垂直延伸和水平延伸）同时制造的MOS鉴于N沟场效应管在生产工艺和电气性能上优于P沟场效应管，CMOS电路使用P衬底是理所当然的，因为在使用中CMOS在生产过程的集成电路中，N沟场效应管的数量远高于P沟场效应管。

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第二种解释

从电路设计的角度来看，如果衬底是p型的，那么衬底就会接地实现pn结反偏，这样在电路设计上比较简单。毕竟是地，选择一个质量好的地连接就可以了。… 对应，n型衬底需要连接衬底的电源，以确保pn结反偏。事实上，现在soc芯片上会有几种电源，比如1.1v 的core 电源，1.1v的soc电源，1.8v 模拟电源，3.3v的IO电源，5v的usb电源…为了保证这么多电源，因为衬底是公共的pn结一定是反偏的，那就要将n型衬底接到最高的5v就电源而言，问题来了，在实际应用中，这个usb可能不用，那它的5v没有电源，所以，n事实上，型衬底不知道接收到了什么电压值，导致整个电压值chip不能正常工作。因此，目前使用n型衬底soc设计不太方便

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