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公司介绍

      ON半导体(Nasdaq:ON)正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供一整套节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案,帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用领域的独特设计挑战。OnSemiconductor在北美、欧洲和亚太地区的主要市场运营一个响应迅速、可靠、世界级的供应链和质量计划,并拥有一个制造设施、销售办事处和设计中心网络。

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FDD8445_晶体管-FET,MOSFET-单个

FDD8445

ON

MOSFET N-CH 40V 70A DPAK

数据手册

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: PowerTrench®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 40V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 70A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 8.7mOhm @ 50A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA

+1: 8.09
+10: 7.87
+30: 7.73

库存:1000 +

国内:1~2 天

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NTD2955T4G_晶体管-FET,MOSFET-单个

NTD2955T4G

ON

MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

数据手册

包装: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging

系列: -

零件状态: Active

FET 类型: P-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 60V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 12A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 180mOhm @ 6A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA

+1: 3.19
+10: 2.56
+30: 2.44

库存:1000 +

国内:1~2 天

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NVBLS001N06C_晶体管-FET,MOSFET-单个

NVBLS001N06C

ON

NFET TOLL 60V 1.0MO

数据手册

包装: -

系列: -

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 60V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 51A (Ta), 422A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 900µOhm @ 80A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 562µA

+1: 39.347179
+10: 35.339746
+25: 33.413592

库存:0

国外:7~10 天

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NDB4050L_晶体管-FET,MOSFET-单个

NDB4050L

ON

MOSFET N-CH 50V 15A D2PAK

数据手册

包装: Cut Tape (CT)

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 50V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 15A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 80mOhm @ 15A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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NTD20N06LT4G_晶体管-FET,MOSFET-单个

NTD20N06LT4G

ON

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

数据手册

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 60V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 20A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 48mOhm @ 10A, 5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA

+1: 1.3787
+10: 0.9904
+30: 0.9191

库存:1000 +

国内:1~2 天

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NTP75N03L09G_晶体管-FET,MOSFET-单个

NTP75N03L09G

ON

MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

数据手册

包装: Tube

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 75A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 8mOhm @ 37.5A, 5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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FDBL0150N60_晶体管-FET,MOSFET-单个

FDBL0150N60

ON

MOSFET N-CH 60V 300A

数据手册

包装: Tape & Reel (TR)

系列: PowerTrench®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 60V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 240A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 1.5mOhm @ 80A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA

+1: 47.74
+200: 18.48
+500: 17.83

库存:1000 +

国内:1~2 天

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FQAF65N06_晶体管-FET,MOSFET-单个

FQAF65N06

ON

MOSFET N-CH 60V 49A TO-3PF

数据手册

包装: Tube

系列: QFET®

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 60V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 49A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 16mOhm @ 24.5A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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MCH6445-TL-W_晶体管-FET,MOSFET-单个

MCH6445-TL-W

ON

MOSFET N-CH 60V 4A MCPH6

数据手册

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 60V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 4A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 78mOhm @ 2A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -

+1: 3.14
+10: 3.06
+30: 3

库存:1000 +

国内:1~2 天

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FDB110N15A_晶体管-FET,MOSFET-单个

FDB110N15A

ON

MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK

数据手册

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: PowerTrench®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 150V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 92A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 11mOhm @ 92A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA

+1: 28.26
+200: 10.94
+500: 10.56

库存:1000 +

国内:1~2 天

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NTF3055-160T1_晶体管-FET,MOSFET-单个

NTF3055-160T1

ON

MOSFET N-CH 60V 2A SOT223

数据手册

包装: Tape & Reel (TR)

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 60V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 2A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 160mOhm @ 1A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA

暂无价格

库存:1000 +

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FDP6030L_晶体管-FET,MOSFET-单个

FDP6030L

ON

MOSFET N-CH 30V 48A TO-220

数据手册

包装: Tube

系列: PowerTrench®

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 48A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 13mOhm @ 26A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA

暂无价格

库存:1000 +

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ATP602-TL-H_晶体管-FET,MOSFET-单个

ATP602-TL-H

ON

MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK

数据手册

包装: Tape & Reel (TR)

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 600V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 5A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 2.7Ohm @ 2.5A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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FQD12N20LTF_晶体管-FET,MOSFET-单个

FQD12N20LTF

ON

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

包装: Bulk

系列: QFET®

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 200V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 9A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 280mOhm @ 4.5A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA

暂无价格

库存:1000 +

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FQA35N40_晶体管-FET,MOSFET-单个

FQA35N40

ON

MOSFET N-CH 400V 35A TO-3P

数据手册

包装: Tube

系列: QFET®

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 400V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 35A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 105mOhm @ 17.5A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA

暂无价格

库存:1000 +

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ATP302-TL-H_晶体管-FET,MOSFET-单个

ATP302-TL-H

ON

MOSFET P-CH 60V 70A ATPAK

数据手册

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: -

零件状态: Active

FET 类型: P-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 60V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 70A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 13mOhm @ 35A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -

+1: 14.77
+10: 12.6
+30: 12.21

库存:1000 +

国内:1~2 天

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2SK4065-DL-E_晶体管-FET,MOSFET-单个

2SK4065-DL-E

ON

MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK

包装: Tape & Reel (TR)

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 75V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 100A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 6mOhm @ 50A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -

+1: 32.23
+25: 29.18
+50: 28.04

库存:1000 +

国内:1~2 天

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NTD80N02G_晶体管-FET,MOSFET-单个

NTD80N02G

ON

MOSFET N-CH 24V 80A DPAK

数据手册

包装: Tube

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 24V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 80A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 5.8mOhm @ 80A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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FDPF15N65YDTU_晶体管-FET,MOSFET-单个

FDPF15N65YDTU

ON

MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F

数据手册

包装: Tube

系列: UniFET™

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 650V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 15A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 440mOhm @ 7.5A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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NTB52N10T4G_晶体管-FET,MOSFET-单个

NTB52N10T4G

ON

MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK

数据手册

包装: Digi-Reel®

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 100V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 52A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 30mOhm @ 26A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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IRF630BTSTU_FP001_晶体管-FET,MOSFET-单个

IRF630BTSTU_FP001

ON

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220

数据手册

包装: Tube

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 200V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 9A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 400mOhm @ 4.5A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA

暂无价格

库存:0

国外:7~10 天

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FDP8443_晶体管-FET,MOSFET-单个

FDP8443

ON

MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB

数据手册

包装: Tube

系列: PowerTrench®

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 40V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 20A (Ta), 80A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 3.5mOhm @ 80A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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CPH6341-TL-EX_晶体管-FET,MOSFET-单个

CPH6341-TL-EX

ON

MOSFET P-CHANNEL 30V 5A 6-CPH

包装: Tape & Reel (TR)

系列: -

零件状态: Obsolete

FET 类型: P-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 5A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 59mOhm @ 3A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -

暂无价格

库存:1000 +

国内:1~2 天

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FDB14N30TM_晶体管-FET,MOSFET-单个

FDB14N30TM

ON

MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK

数据手册

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: UniFET™

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 300V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 14A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 290mOhm @ 7A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA

+19: 3.182
+100: 2.1213
+1000: 2.1213

库存:1000 +

国内:1~2 天

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FDI030N06_晶体管-FET,MOSFET-单个

FDI030N06

ON

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

数据手册

包装: Tube

系列: PowerTrench®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 60V

电流-连续漏极(Id)(25°C 时): 120A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 3.2mOhm @ 75A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250µA

+1: 42.04
+200: 16.27
+500: 15.7

库存:1000 +

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