 | FDD8445 | ON | MOSFET N-CH 40V 70A DPAK 数据手册 | 包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： PowerTrench® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 70A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 8.7mOhm @ 50A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA | | +1： | 8.09 | | +10： | 7.87 | | +30： | 7.73 |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 |
 | NTD2955T4G | ON | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK 数据手册 | 包装： Tape & Reel (TR) Alternate Packaging 系列： - 零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 12A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 180mOhm @ 6A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA | | +1： | 3.19 | | +10： | 2.56 | | +30： | 2.44 |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 |
 | NVBLS001N06C | ON | | 包装： - 系列： - 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 51A (Ta), 422A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 900µOhm @ 80A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 562µA | | +1： | 39.347179 | | +10： | 35.339746 | | +25： | 33.413592 |
| 库存：0 国外：7~10 天 立即购买 |
| NDB4050L | ON | MOSFET N-CH 50V 15A D2PAK 数据手册 | 包装： Cut Tape (CT) 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 50V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 15A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 80mOhm @ 15A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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 | NTD20N06LT4G | ON | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK 数据手册 | 包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： - 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 20A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 48mOhm @ 10A, 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA | | +1： | 1.3787 | | +10： | 0.9904 | | +30： | 0.9191 |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 |
 | NTP75N03L09G | ON | MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB 数据手册 | 包装： Tube 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 75A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 8mOhm @ 37.5A, 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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| FDBL0150N60 | ON | MOSFET N-CH 60V 300A 数据手册 | 包装： Tape & Reel (TR) 系列： PowerTrench® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 240A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.5mOhm @ 80A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA | | +1： | 47.74 | | +200： | 18.48 | | +500： | 17.83 |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 |
| FQAF65N06 | ON | MOSFET N-CH 60V 49A TO-3PF 数据手册 | 包装： Tube 系列： QFET® 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 49A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 16mOhm @ 24.5A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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 | MCH6445-TL-W | ON | MOSFET N-CH 60V 4A MCPH6 数据手册 | 包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： - 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 4A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4V, 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 78mOhm @ 2A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： - | | 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 |
| FDB110N15A | ON | MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK 数据手册 | 包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： PowerTrench® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 92A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 11mOhm @ 92A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA | | +1： | 28.26 | | +200： | 10.94 | | +500： | 10.56 |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 |
| NTF3055-160T1 | ON | MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 数据手册 | 包装： Tape & Reel (TR) 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 2A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 160mOhm @ 1A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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 | FDP6030L | ON | MOSFET N-CH 30V 48A TO-220 数据手册 | 包装： Tube 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 48A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 13mOhm @ 26A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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 | ATP602-TL-H | ON | MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK 数据手册 | 包装： Tape & Reel (TR) 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 5A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 2.7Ohm @ 2.5A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： - | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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 | FQD12N20LTF | ON | | 包装： Bulk 系列： QFET® 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 9A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 280mOhm @ 4.5A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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 | FQA35N40 | ON | MOSFET N-CH 400V 35A TO-3P 数据手册 | 包装： Tube 系列： QFET® 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 400V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 35A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 105mOhm @ 17.5A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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 | ATP302-TL-H | ON | MOSFET P-CH 60V 70A ATPAK 数据手册 | 包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： - 零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 70A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 13mOhm @ 35A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： - | | +1： | 14.77 | | +10： | 12.6 | | +30： | 12.21 |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 |
 | 2SK4065-DL-E | ON | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK | 包装： Tape & Reel (TR) 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 75V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 100A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4V, 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 6mOhm @ 50A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： - | | +1： | 32.23 | | +25： | 29.18 | | +50： | 28.04 |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 |
 | NTD80N02G | ON | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK 数据手册 | 包装： Tube 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 24V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 80A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 5.8mOhm @ 80A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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| FDPF15N65YDTU | ON | MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F 数据手册 | 包装： Tube 系列： UniFET™ 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 15A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 440mOhm @ 7.5A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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| NTB52N10T4G | ON | MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK 数据手册 | 包装： Digi-Reel® 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 52A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 30mOhm @ 26A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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 | IRF630BTSTU_FP001 | ON | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 数据手册 | 包装： Tube 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 9A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 400mOhm @ 4.5A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA | 暂无价格 | 库存：0 国外：7~10 天
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 | FDP8443 | ON | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB 数据手册 | 包装： Tube 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 20A (Ta), 80A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 3.5mOhm @ 80A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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| CPH6341-TL-EX | ON | MOSFET P-CHANNEL 30V 5A 6-CPH | 包装： Tape & Reel (TR) 系列： - 零件状态： Obsolete FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 5A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4V, 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 59mOhm @ 3A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： - | 暂无价格 | 库存：1000 + 国内：1~2 天
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| FDB14N30TM | ON | MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK 数据手册 | 包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： UniFET™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 300V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 14A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 290mOhm @ 7A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA | | +19： | 3.182 | | +100： | 2.1213 | | +1000： | 2.1213 |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 |
 | FDI030N06 | ON | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK 数据手册 | 包装： Tube 系列： PowerTrench® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C 时）： 120A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 3.2mOhm @ 75A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 250µA | | +1： | 42.04 | | +200： | 16.27 | | +500： | 15.7 |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 |
