制造商型号: | SQ1922EEH-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 20V SC70-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SQ1922EEH-T1_GE3
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SQ1922EEH-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQ1922EEH-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 840 mA
漏源电阻 350 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 700 pC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6 ns
上升时间 12 ns
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 78 mg
SQ1922EEH-T1_GE3 同类别型号
库存: 12328
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.18953 | 5.19 |
10 | 4.448168 | 44.48 |
25 | 4.151624 | 103.79 |
100 | 3.084064 | 308.41 |
250 | 2.929861 | 732.47 |
500 | 2.407942 | 1203.97 |
1000 | 1.957194 | 1957.19 |