制造商型号： | SI2312BDS-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI2312BDS-T1-GE3
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SI2312BDS-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI2312BDS-T1-GE3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI2312BDS-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
31mOhm @ 5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
850mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
12nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
750mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
SOT-23-3 (TO-236)
封装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
库存： 48321
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.805318 | 6.81 |
| 10 | 5.815453 | 58.15 |
| 100 | 4.038647 | 403.86 |
| 500 | 3.153462 | 1576.73 |
| 1000 | 2.56313 | 2563.13 |
品牌其他型号
SI2312BDS-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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