制造商型号： | SI1317DL-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多SI1317DL-T1-GE3价格库存等采购信息！ |
SILICONIX(威世) SI1317DL-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SI1317DL-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI1317DL-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 150 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 4.3 nC
耗散功率 280 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1317DL-T1-BE3 SI1307EDL-T1-GE3
单位重量 6 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥5.44529 总价：￥5.45 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.44529 | 5.45 |
| 10 | 4.379908 | 43.80 |
| 100 | 2.983073 | 298.31 |
| 500 | 2.237304 | 1118.65 |
| 1000 | 1.677978 | 1677.98 |
品牌其他型号
SI1317DL-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SI1317DL-T1-GE3、查询SI1317DL-T1-GE3代理商； SI1317DL-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SI1317DL-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
SI1317DL-T1-GE3替代型号
、
SI1317DL-T1-GE3数据手册PDF。