  |    |  MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-PowerPair™ 供应商器件封装: 6-PowerPair™     | 
  |    |  MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO     | 
  |    |  MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SC-75-6L Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SC-75-6L Dual     | 
  |    |  MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SC-75-6L Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SC-75-6L Dual     | 
  |    |  MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SC-75-6L Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SC-75-6L Dual     | 
  |    |  MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SC-70-6 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SC-70-6 Dual     | 
  |    |  MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SC-70-6 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SC-70-6 Dual     | 
  |    |  MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual     | 
  |    |  MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual     | 
  |    |  MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual     | 
  |    |  DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerWDFN 供应商器件封装: 8-PowerPair® (3x3)     | 
  |    |  MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 X 3    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: TrenchFET® Gen IV 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerWDFN 供应商器件封装: 8-Power33 (3x3)     | 
  |    |  MOSFET N-CH DUAL 20V .85A SOT-36    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装: SC-70-6     | 
  |    |  MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8 Dual     | 
  |    |  MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® 8 x 8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® 8 x 8 Dual     | 
  |    |  MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装: SC-70-6     | 
  |    |  MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8 Dual     | 
  |    |  MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8 Dual     | 
  |    |  MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8 Dual     | 
  |    |  MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8 Dual     | 
  |    |  MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual     | 
  |    |  MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SOIC     | 
  |    |  MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8 Dual     | 
  |    |  MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric     | 
  |    |  MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric     | 
  |    |  MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: TrenchFET® Gen IV 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8SCD 供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8SCD     | 
  |    |  MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual     | 
  |    |  DUAL N-CH 25-V (D-S) MOSFET W/SC    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: PowerPAIR®, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerWDFN 供应商器件封装: 8-PowerPair® (6x5)     | 
  |    |  MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8 Dual     | 
  |    |  MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual     | 
  |    |  MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric     | 
  |    |  MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric     | 
  |    |   |   |   |  厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount, Wettable Flank 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8W Dual 供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8W Dual     | 
  |    |  MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual     | 
  |    |  DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M    射频晶体管  |   |   |  厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 Dual 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 Dual     |