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FII30-12E_分立半导体产品
授权代理品牌

IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5

数据手册

库存:1000 +

国内:1~2 天

-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
i4-Pac™-5
ISOPLUS i4-PAC™
FII50-12E_分立半导体产品
授权代理品牌

IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5

数据手册

库存:1000 +

国内:1~2 天

-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
i4-Pac™-5
ISOPLUS i4-PAC™
FII24N170AH1_分立半导体产品
授权代理品牌

IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5

数据手册

库存:0

国外:7~10 天

-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
i4-Pac™-4, Isolated
ISOPLUS i4-PAC™
MMIX4G20N250_分立半导体产品
授权代理品牌

IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPD

数据手册
+1:

¥492.6636

+10:

¥462.8052

+25:

¥447.876

+100:

¥403.0884

库存:0

国外:7~10 天

-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
24-SMD Module, 9 Leads
24-SMPD
FII30-06D_分立半导体产品
授权代理品牌

IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5

数据手册
+25:

¥76.863072

库存:1000 +

国内:1~2 天

-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
i4-Pac™-5
ISOPLUS i4-PAC™
IXA20PG1200DHG-TRR_分立半导体产品
授权代理品牌

IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD

数据手册
+200:

¥98.01792

库存:0

国外:7~10 天

-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
9-SMD Module
ISOPLUS-SMPD™.B
IXA30PG1200DHG-TRR_分立半导体产品
授权代理品牌

IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD

数据手册
+200:

¥110.23584

库存:0

国外:7~10 天

-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
9-SMD Module
ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40RG1200DHG-TRR_分立半导体产品
授权代理品牌

IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD

数据手册
+200:

¥112.43232

库存:0

国外:7~10 天

ISOPLUS™
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
9-SMD Module
ISOPLUS-SMPD™.B
IXA20PG1200DHG-TUB_分立半导体产品
授权代理品牌

IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD

数据手册
+20:

¥113.92953

库存:0

国外:7~10 天

-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
9-SMD Module
ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40PG1200DHG-TRR_分立半导体产品
授权代理品牌

IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD

数据手册
+200:

¥124.78752

库存:0

国外:7~10 天

-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
9-SMD Module
ISOPLUS-SMPD™.B
IXA30PG1200DHG-TUB_分立半导体产品
授权代理品牌

IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD

数据手册
+20:

¥128.50266

库存:0

国外:7~10 天

-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
9-SMD Module
ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40RG1200DHG-TUB_分立半导体产品
授权代理品牌

IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD

数据手册
+20:

¥130.65195

库存:0

国外:7~10 天

ISOPLUS™
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
9-SMD Module
ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40PG1200DHG-TUB_分立半导体产品
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IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD

数据手册
+20:

¥145.89003

库存:0

国外:7~10 天

-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
9-SMD Module
ISOPLUS-SMPD™.B
FII24N17AH1_分立半导体产品
授权代理品牌

IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5

数据手册
+25:

¥281.97312

库存:1000 +

国内:1~2 天

-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
i4-Pac™-5
ISOPLUS i4-PAC™
FII24N17AH1S_分立半导体产品
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IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5

+25:

¥285.95424

库存:0

国外:7~10 天

-
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Through Hole
i4-Pac™-5
ISOPLUS i4-PAC™
MMIX4B20N300_分立半导体产品
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IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD

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+20:

¥587.78577

库存:0

国外:7~10 天

BIMOSFET™
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
24-SMD Module, 9 Leads
24-SMPD
MMIX4B22N300_分立半导体产品
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IGBT TRANS 3000V 38A

+1:

¥695.5806

+10:

¥659.63898

+25:

¥641.691336

+100:

¥574.37952

+250:

¥565.40484

库存:11

国外:7~10 天

*
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FII40-06D_分立半导体产品
授权代理品牌

IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5

数据手册
+1:

¥121.0638

+10:

¥111.2826

+25:

¥106.66656

+100:

¥92.25216

+250:

¥89.36928

库存:1000 +

国内:1~2 天

-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
i4-Pac™-5
ISOPLUS i4-PAC™
什么是晶体管-IGBT阵列:

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。

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