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什么是晶体管-IGBT阵列:

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。

图片品牌型号描述单价(含增值税)库存信息系列工作温度安装类型封装/外壳供应商器件封装
CBM2003AS16_分立半导体
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CBM2004AS16_分立半导体
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