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| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 单价(含增值税) | 库存信息 | 系列 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5 数据手册 | 1+:
需询价
| - | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | i4-Pac™-5 | ISOPLUS i4-PAC™ | |
| 授权代理品牌 | IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5 数据手册 | 1+:
需询价
| - | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | i4-Pac™-5 | ISOPLUS i4-PAC™ | |
| 授权代理品牌 | IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5 数据手册 | 1+:
需询价
| - | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | i4-Pac™-4, Isolated | ISOPLUS i4-PAC™ | |
| 授权代理品牌 | IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPD 数据手册 | +1： ￥492.6636 +10： ￥462.8052 +25： ￥447.876 +100： ￥403.0884 | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 24-SMD Module, 9 Leads | 24-SMPD | |
| 授权代理品牌 | IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5 数据手册 | +25： ￥76.863072 | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | i4-Pac™-5 | ISOPLUS i4-PAC™ | |
| 授权代理品牌 | IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD 数据手册 | +200： ￥98.01792 | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 9-SMD Module | ISOPLUS-SMPD™.B | |
| 授权代理品牌 | IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD 数据手册 | +200： ￥110.23584 | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 9-SMD Module | ISOPLUS-SMPD™.B | |
| 授权代理品牌 | IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD 数据手册 | +200： ￥112.43232 | ISOPLUS™ | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 9-SMD Module | ISOPLUS-SMPD™.B | |
| 授权代理品牌 | IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD 数据手册 | +20： ￥113.92953 | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 9-SMD Module | ISOPLUS-SMPD™.B | |
| 授权代理品牌 | IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD 数据手册 | +200： ￥124.78752 | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 9-SMD Module | ISOPLUS-SMPD™.B | |
| 授权代理品牌 | IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD 数据手册 | +20： ￥128.50266 | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 9-SMD Module | ISOPLUS-SMPD™.B | |
| 授权代理品牌 | IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD 数据手册 | +20： ￥130.65195 | ISOPLUS™ | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 9-SMD Module | ISOPLUS-SMPD™.B | |
| 授权代理品牌 | IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD 数据手册 | +20： ￥145.89003 | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 9-SMD Module | ISOPLUS-SMPD™.B | |
| 授权代理品牌 | IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5 数据手册 | +25： ￥281.97312 | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | i4-Pac™-5 | ISOPLUS i4-PAC™ | |
| 授权代理品牌 | IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5 | +25： ￥285.95424 | - | - | Through Hole | i4-Pac™-5 | ISOPLUS i4-PAC™ | |
| 授权代理品牌 | IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD 数据手册 | +20： ￥587.78577 | BIMOSFET™ | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 24-SMD Module, 9 Leads | 24-SMPD | |
| 授权代理品牌 | IGBT TRANS 3000V 38A | +1： ￥695.5806 +10： ￥659.63898 +25： ￥641.691336 +100： ￥574.37952 +250： ￥565.40484 | * | - | - | - | - | |
 | 授权代理品牌 | IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5 数据手册 | +1： ￥121.0638 +10： ￥111.2826 +25： ￥106.66656 +100： ￥92.25216 +250： ￥89.36928 | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | i4-Pac™-5 | ISOPLUS i4-PAC™ |
什么是晶体管-IGBT阵列:
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
