制造商型号： | SI2315BDS-T1-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多SI2315BDS-T1-E3价格库存等采购信息！ |
SILICONIX(威世) SI2315BDS-T1-E3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SI2315BDS-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI2315BDS-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 50 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 8 nC
耗散功率 750 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2315BDS-T1-BE3 SI2315BDS-E3
单位重量 8 mg
SI2315BDS-T1-E3 同类别型号
库存： 179530
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.155601 | 7.16 |
| 10 | 6.108763 | 61.09 |
| 100 | 4.566334 | 456.63 |
| 500 | 3.587607 | 1793.80 |
| 1000 | 2.772133 | 2772.13 |
品牌其他型号
SI2315BDS-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SI2315BDS-T1-E3、查询SI2315BDS-T1-E3代理商； SI2315BDS-T1-E3价格批发咨询客服；这里拥有
SI2315BDS-T1-E3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
SI2315BDS-T1-E3替代型号
、
SI2315BDS-T1-E3数据手册PDF。