制造商型号： | TP0610K-T1-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) TP0610K-T1-E3
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TP0610K-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
TP0610K-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 185 mA
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.7 nC
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导（Min） 80 mS
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TP0610K-E3
单位重量 8 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 0.915357 | 2746.07 |
| 6000 | 0.877345 | 5264.07 |
| 9000 | 0.789653 | 7106.88 |
| 30000 | 0.777913 | 23337.39 |
| 75000 | 0.731169 | 54837.67 |
品牌其他型号
TP0610K-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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