制造商型号: | SI2308BDS-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SI2308BDS-T1-E3
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SI2308BDS-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI2308BDS-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 156 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 6.8 nC
耗散功率 1.66 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 5 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-E3
单位重量 8 mg
库存: 1983
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.616054 | 6.62 |
10 | 5.677776 | 56.78 |
100 | 4.243897 | 424.39 |
500 | 3.33449 | 1667.25 |
1000 | 2.576653 | 2576.65 |
品牌其他型号
SI2308BDS-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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