制造商型号： | SI4816BDY-T1-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI4816BDY-T1-E3
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SI4816BDY-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI4816BDY-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.8 A, 11.4 A
漏源电阻 11.5 mOhms, 18.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7.8 nC, 11.6 nC
耗散功率 1.4 W, 2.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9 ns, 11 ns
正向跨导（Min） 30 S, 31 S
上升时间 9 ns, 9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns, 31 ns
典型接通延迟时间 11 ns, 13 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4816BDY-E3
单位重量 187 mg
SI4816BDY-T1-E3 同类别型号
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥21.307661 总价：￥21.31 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 21.307661 | 21.31 |
| 10 | 19.117706 | 191.18 |
| 100 | 15.367558 | 1536.76 |
| 500 | 12.62621 | 6313.11 |
| 1000 | 10.461826 | 10461.83 |
品牌其他型号
SI4816BDY-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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