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SILICONIX(威世) SI2304BDS-T1-GE3

SILICONIX(威世) SI2304BDS-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SI2304BDS-T1-GE3

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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SI2304BDS-T1-GE3 中文资料

SI2304BDS-T1-GE3 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 2.6 A

漏源电阻 70 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 2.6 nC

耗散功率 750 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 15 ns

上升时间 12.5 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 19 ns

典型接通延迟时间 7.5 ns

外形参数

高度 1.45 mm

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI2304BDS-T1-BE3 SI2304BDS-GE3

单位重量 8 mg

库存: 142836

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥5.667793 总价:¥5.67
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 5.667793 5.67
10 4.349416 43.49
100 2.610881 261.09
500 2.417437 1208.72
1000 1.643783 1643.78
品牌其他型号
SI2304BDS-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SI2304BDS-T1-GE3、查询SI2304BDS-T1-GE3代理商; SI2304BDS-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SI2304BDS-T1-GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SI2304BDS-T1-GE3替代型号SI2304BDS-T1-GE3数据手册PDF