制造商型号: | SI8824EDB-T2-E1 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SI8824EDB-T2-E1
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SI8824EDB-T2-E1 中文资料
数据手册PDF
SI8824EDB-T2-E1 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.9 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 6 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 0.65 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 45.104 mg
库存: 11918
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.221215 | 6.22 |
10 | 4.622708 | 46.23 |
30 | 4.334689 | 130.04 |
100 | 4.032269 | 403.23 |
500 | 3.90266 | 1951.33 |
品牌其他型号
SI8824EDB-T2-E1品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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