制造商型号： | SI1013R-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SI1013R-T1-GE3
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SI1013R-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI1013R-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 350 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 1.65 nC
耗散功率 175 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1013R-GE3
库存： 115892
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.395723 | 5.40 |
| 10 | 4.605186 | 46.05 |
| 100 | 3.44197 | 344.20 |
| 500 | 2.704637 | 1352.32 |
| 1000 | 2.089902 | 2089.90 |
品牌其他型号
SI1013R-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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