SI4816BDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0093 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 1.25 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 5.80 A
上升时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
SI4816BDY-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI4816BDY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4816BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI4816BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, 双路 N 通道, 30V, 0.0093Ω | 搜索库存 |
替代型号SI4816BDY-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI4816BDY-T1-E3 品牌： VISHAY 威世 封装： 8-SOIC N-Channel 30V 5.8A 18.5mΩ | 当前型号 | 双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V D-S MOSFET with Schottky Diode | 当前型号 |
| 型号： SI4816BDY-T1-GE3 品牌： 威世 封装： 8-SOIC Dual N 30V 5.8A 15.5mΩ | 类似代替 | 双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V D-S MOSFET with Schottky Diode | SI4816BDY-T1-E3和SI4816BDY-T1-GE3的区别 |