制造商型号： | SI2312BDS-T1-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI2312BDS-T1-E3
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SI2312BDS-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI2312BDS-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 31 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 12 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 30 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2312BDS-T1-BE3 SI2312BDS-E3
单位重量 8 mg
库存： 25555
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.848184 | 6.85 |
| 10 | 5.852084 | 58.52 |
| 100 | 4.064087 | 406.41 |
| 500 | 3.173324 | 1586.66 |
| 1000 | 2.579275 | 2579.28 |
品牌其他型号
SI2312BDS-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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