| | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerTDFN 供应商器件封装: PowerDI5060-8 |
| | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerTDFN 供应商器件封装: PowerDI5060-8 |
| | MOSFETDUAL P-CHAN 30V SO-8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 4-VFDFN Exposed Pad 供应商器件封装: V-DFN2050-4 |
| | MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 4-VFDFN Exposed Pad 供应商器件封装: V-DFN2050-4 |
| | MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerTDFN 供应商器件封装: PowerDI5060-8 |
| | MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerTDFN 供应商器件封装: PowerDI5060-8 |
| | MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装: U-DFN2020-6 (Type B) |
| | MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装: U-DFN2020-6 (Type B) |
| | MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: SOT-23-6 供应商器件封装: SOT-26 |
| | MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -65°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: SOT-23-6 供应商器件封装: SOT-26 |
| | MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -65°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: SOT-23-6 供应商器件封装: SOT-26 |
| | MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-XFDFN Exposed Pad 供应商器件封装: X2-DFN1310-6 (Type B) |
| | MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-XFDFN Exposed Pad 供应商器件封装: X2-DFN1310-6 (Type B) |
| | MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-XFDFN Exposed Pad 供应商器件封装: X2-DFN1310-6 (Type B) |
| | MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SOP |
| | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-UFDFN Exposed Pad 供应商器件封装: U-DFN2030-6 (Type B) |
| | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装: U-DFN2020-6 (Type B) |
| | MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SOP |
| | MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD 供应商器件封装: TO-252-4L |
| | MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装: U-DFN2020-6 (Type B) |