制造商型号： | DMG4511SK4-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMG4511SK4-13
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DMG4511SK4-13 中文资料
数据手册PDF
DMG4511SK4-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 35 V
漏极电流 5.3 A, 5 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 3 V
栅极电荷 18.7 nC
耗散功率 1.54 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 35.6 ns
正向跨导（Min） 4.5 S
上升时间 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 33.2 ns
典型接通延迟时间 5.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 51
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 43 | 3.868242 | 166.33 |
| 50 | 3.570574 | 178.53 |
| 100 | 3.27305 | 327.31 |
| 300 | 3.27305 | 981.91 |
| 500 | 3.27305 | 1636.53 |
| 1000 | 2.975526 | 2975.53 |
品牌其他型号
DMG4511SK4-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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