制造商型号： | IRF100S201 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IRF100S201
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IRF100S201 中文资料
数据手册PDF
IRF100S201 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 192 A
漏源电阻 4.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 170 nC
耗散功率 441 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 100 ns
正向跨导（Min） 278 S
上升时间 97 ns
典型关闭延迟时间 110 ns
典型接通延迟时间 17 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF100S201 SP001550868
单位重量 4 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 800 | 12.582912 | 10066.33 |
| 1600 | 10.612102 | 16979.36 |
| 2400 | 10.081493 | 24195.58 |
| 5600 | 9.702434 | 54333.63 |
品牌其他型号
IRF100S201品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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