| | MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装: V-DFN3030-8 (Type K) |
| | MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-SMD, No Lead 供应商器件封装: X3-DSN2718-6 |
| | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SOP |
| | MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 (Type UXC) |
| | MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerTDFN 供应商器件封装: PowerDI5060-8 (Type R) |
| | MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-SMD, No Lead 供应商器件封装: X3-DSN3518-6 |
| | MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerTDFN 供应商器件封装: PowerDI5060-8 |
| | MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerTDFN 供应商器件封装: PowerDI5060-8 |
| | MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerLDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 (Type D) |
| | MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerLDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 (Type D) |
| | MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerLDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 (Type D) |
| | MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerLDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 (Type D) |
| | MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 (Type UXC) |
| | MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 (Type UXC) |
| | MOSFET N/P-CH 40V 7.5A 8SO 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerTDFN 供应商器件封装: PowerDI5060-8 (Type R) |
| | MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-SMD, No Lead 供应商器件封装: X3-DSN2718-6 |
| | MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI33 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 (Type UXC) |
| | MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI33 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 (Type UXC) |
| | MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerLDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 (Type D) |
| | MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2P-CH 20V 9UWLB 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: - 工作温度: - 封装/外壳: - 供应商器件封装: - |
| | MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerLDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 (Type D) |
| | MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装: TSOT-26 |
| | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: SOT-563, SOT-666 供应商器件封装: SOT-563 |
| | MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装: TSOT-26 |
| | MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装: TSOT-26 |
| | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装: TSOT-26 |
| | MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装: SOT-363 |
| | MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装: SOT-363 |
| | MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装: TSOT-23-6 |
| | MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -65°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: SOT-563, SOT-666 供应商器件封装: SOT-563 |
| | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: V-DFN3020-8 |
| | MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SMD, Gull Wing 供应商器件封装: SM-8 |