制造商型号: | ZXMN3A04DN8TA |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) ZXMN3A04DN8TA
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ZXMN3A04DN8TA 中文资料
数据手册PDF
ZXMN3A04DN8TA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8.5 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 36.8 nC
耗散功率 2.15 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 20.2 ns
上升时间 6.1 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 38.1 ns
典型接通延迟时间 5.2 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
500 | 7.153776 | 3576.89 |
1000 | 5.927415 | 5927.41 |
2500 | 5.518628 | 13796.57 |
5000 | 5.314235 | 26571.17 |
12500 | 5.10984 | 63873.00 |
品牌其他型号
ZXMN3A04DN8TA品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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