| | MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 |
| | MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 |
| | MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: V-DFN3030-8 |
| | MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装: U-DFN2020-6 (Type B) |
| | MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装: U-DFN2020-6 (Type B) |
| | MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN2050-4 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 4-VFDFN Exposed Pad 供应商器件封装: V-DFN2050-4 |
| | MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装: U-DFN2020-6 (Type B) |
| | MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装: U-DFN2020-6 (Type B) |
| | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 |
| | MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 (Type UXD) |
| | MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 (Type UXD) |
| | MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 |
| | MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 |
| | MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-UFDFN Exposed Pad 供应商器件封装: U-DFN2030-6 (Type B) |
| | MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN2112- 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-SMD, No Lead 供应商器件封装: X4-DSN2112-6 |
| | MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 |
| | MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333-8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 (Type UXC) |
| | MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 |
| | MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 |
| | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装: U-DFN2030-6 |
| | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerDI3333-8 |
| | MOSFET 25V~30V V-DFN3030-8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: * 安装类型: - 工作温度: - 封装/外壳: - 供应商器件封装: - |
| | MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN3030-8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerUDFN 供应商器件封装: U-DFN3030-8 |
| | MOSFET 25V~30V POWERDI3333-8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: - 工作温度: - 封装/外壳: - 供应商器件封装: - |
| | MOSFET 25V~30V POWERDI3333-8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: - 工作温度: - 封装/外壳: - 供应商器件封装: - |
| | MOSFET 8V~24V TSOT26 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装: TSOT-26 |
| | MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: V-DFN3030-8 (Type J) |
| | MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装: U-DFN2020-6 (Type B) |
| | MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装: U-DFN2020-6 (Type B) |
| | MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-UFDFN Exposed Pad 供应商器件封装: U-DFN2030-6 |
| | MOSFET 8V~24V TSOT26 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: Automotive, AEC-Q101 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装: TSOT-26 |
| | MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: V-DFN3020-8 |
| | MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装: TSOT-26 |
| | MOSFET 25V~30V TSOT26 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装: TSOT-26 |
| | MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: - 封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装: TSOT-26 |