制造商型号: | DMC3016LSD-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMC3016LSD-13
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DMC3016LSD-13 中文资料
数据手册PDF
DMC3016LSD-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8.2 A, 6.2 A
漏源电阻 15 mOhms, 30 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 11.3 nC, 10.9 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.6 ns, 40.4 ns
上升时间 16.5 ns, 17.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 26.1 ns, 60.5 ns
典型接通延迟时间 4.8 ns, 9.7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 1.31809 | 1.32 |
10 | 1.005569 | 10.06 |
30 | 0.948149 | 28.44 |
100 | 0.890728 | 89.07 |
500 | 0.865226 | 432.61 |
品牌其他型号
DMC3016LSD-13品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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