制造商型号： | DMN5L06DMKQ-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) DMN5L06DMKQ-7
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DMN5L06DMKQ-7 中文资料
数据手册PDF
DMN5L06DMKQ-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 305 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 15 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 1.245606 | 3736.82 |
| 6000 | 1.165215 | 6991.29 |
| 15000 | 1.084825 | 16272.37 |
| 30000 | 1.028614 | 30858.42 |
品牌其他型号
DMN5L06DMKQ-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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