ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法
编辑-ZMOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高,而栅极和源极之间的电容很小,很容易被外界电磁场或静电的感应充电,少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压,会损坏管子。...
发布时间:2022-10-22
编辑-ZMOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高,而栅极和源极之间的电容很小,很容易被外界电磁场或静电的感应充电,少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压,会损坏管子。...
发布时间:2022-10-22
能够分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件,其中晶闸管为半控型器件,承受电压和电流容量在所有器件中最高;电力二极管为不可控器件,构造和原理简略,工作可靠;还能够分为电压驱动型器件和电流驱动型器件,...
发布时间:2022-09-19
要想造个芯片, 首先, 你得画出来一个长这样的玩意儿给Foundry (外包的晶圆制造公司) 在IC设计中,逻辑合成这个步骤便是将确定无误的HDLcode,放入电子设计自动化工具(EDAtool),让电脑将HDLcode转换成逻辑电路...
发布时间:2022-09-19
就像计算机一样,也有数十亿个名为晶体管的微小脑细胞。它由从称为硅的沙子中提取的化学元素组成。晶体管已经由John Bardeen,Walter Brattain和William Shockley进行了半个多世纪的设计,因此从根本上改变了电子学...
发布时间:2022-09-19
AUIRF8739L2TR N通道汽车用MOSFET符合汽车应用类AEC-Q101标准。
发布时间:2022-08-24
λ—光谱半宽度 VF—正向压降差 Vz—稳压范围电压增量 ... Cib—共基极输入电容 Cic—集电结势垒电容 Cieo—共发射极开路输入电容 Cies—共发射极短路输入电容 Cie—共发射极输入
发布时间:2022-08-21
❝简 介: 根据PN结的电流电压方程,可以看到它与PN温度有关,基于此可以用于测量环境或者芯片内部的温度。选择NPN,PNP三极管(2N3906,2N3904)所得到的温度比起普通的PN结更加的精确。本文参照 Accurate ...
发布时间:2022-08-20