Onsemi 推出首款 TOLL 封装 650V SiC MOSFET
该晶体管满足了对适用于高功率密度设计的高性能开关器件快速增长的需求。直到最近，SiC 器件一直采用 D2PAK 7 引线封装，这需要更大的空间。 TOLL 封装的占位面积仅为 9.90 mm x 11.68 mm，与 D2PAK 封装相比，PCB ...
发布时间：2023-12-17
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7N65-ASEMI小功率MOS管7N65
编辑-Z7N65在TO-220AB封装里...7N65的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.4V，反向恢复时间(Trr)为293nS，输出电容(Coss)为95pF，其中有3条引线。7N65参数描述型号：7N65封装：TO-220AB特性：小功率MOS管电性参数：7A
发布时间：2023-05-20
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苹果M1 Max芯片发布：570亿晶体管，图形性能堪比RTX 3080
视学算法报道机器之心编辑部Arm 芯片已经达到超越 Core i9，与 RTX 3080 打得有来有回的程度了。有人说，M1 芯片的笔记本还只是个玩具，昨天的发布会上，苹果把 M1 芯片的...
发布时间：2023-01-16
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数字晶体管的原理是怎样的
数字晶体管是带有电阻的晶体管。 有的只在基极串联一个电阻，一般称为R1，有的还在基极和发射极之间并联一个电阻R2。 电阻R1有多种电阻，类似于标准电阻系列。
发布时间：2023-01-14
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低温烧结银--功率半导体器件封装的幕后英雄
低温烧结银–功率半导体器件封装的幕后英雄 随着新能源汽车、5G通信、高端装备制造等的蓬勃发展，这些领域对功率器件的要求越来越高——既要有更高的效率和可靠性，又要寿命更长，制造步骤尽可能简单易行，还要满足...
发布时间：2022-10-28