BJT晶体管的参数

? ?λ—光谱半宽度
VF—正向压降差
Vz—电压增量在稳压范围内
av—电压温度系数
a—温度系数
BV cer—基极与发射极串联，CE结击穿电压
BVcbo—集电极与基极之间的发射极开路击穿电压
BVceo—基极开路，CE结击穿电压
BVces—基极和发射极短路CE结击穿电压
BVebo— 集电极开路EB结击穿电压
Cib—共基极输入电容器
Cic—集电结势垒电容器
Cieo—共发射极开路输入电容器
Cies—共发射极短路输入电容器
Cie—共发射极输入电容器
Cjo/Cjn—结电容变化
Cjo—零偏压结电容器
Cjv—偏压结电容
Cj—结(极间)电容， 锗检波二极管的总电容在二极管两端加规定偏压下
CL—负载电容（外电路参数）
Cn—中和电容(外电路参数)
Cob—共基极输出电容。集电极与基极之间的输出电容在基极电路中
Coeo—共发射极开路输出电容
Coe—共发射极输出电容器
Co—零偏压电容
Co—输出电容
Cp—并联电容(外电路参数)
Cre—共发射极反馈电容器
Cs—管壳电容或封装电容
CTC—电容温度系数
CTV—电压温度系数。稳定电压的相对变化与测试电流下环境温度的绝对变化之比
Ct—总电容
Cvn—标称电容
di/dt—通态电流的临界上升率
dv/dt—通态电压临界上升率
D—占空比
ESB—二次击穿能量
fmax—最高振荡频率。当三极管功率增加等于1时
fT—特征频率
f—频率
h RE—极静态电压反馈系数
hFE—极静态电流放大系数
hfe—短路电压放大系数
hIE—共发射极静态输入阻抗
hie—短路输入阻抗
hOE—极静态输出电导共同发射
hoe—发射极小信号开路输出导出
hre—共发射极小信号开路电压反馈系数
IAGC—电流正向自动控制
IB2-单结晶管中的基极调制电流