20N10-ASEMI中小功率MOS管20N10
编辑-Z20N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款中小功率MOS管。20N10的脉冲正向电流ISM为60A，连续漏极电流(ID)为20A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N10的功耗(PD)为105W，静态漏源导通...
发布时间：2023-10-07
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VKD104SB电容式标准触摸 IC提供 4 个触摸输入端口及 4 个直接输出端口
VKD104SB VinTouchTM IC 是一款使用电容式感应原理设计的触摸 IC，此款 IC 内建稳压电路给触摸感测器使用，稳定的感应方式可以应用到各种不同电子类。面板介质可以是完全绝源的材料，专为取代传统的机械结构开关或...
发布时间：2023-10-07
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ASEMI大功率MOS管90N10参数，90N10应用，90N10图示
编辑-ZASEMI大功率MOS管90...8mΩ输出电容（COSS）：940pF脉冲漏极电流（IDM）：360A漏源二极管正向电压（VSD）：1.2V反向恢复时间（trr）：65nS 90N10封装尺寸图示：封装：TO-220AB总长度：29.7mm本体长度：9.4mm引脚
发布时间：2023-10-07
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100N10-ASEMI大功率MOS管100N10
编辑-Z100N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款大功率MOS管。100N10的脉冲漏极电流IDM为390A，连续漏极电流(ID)为100A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。100N10的功耗(PD)为166W，静态漏源导通...
发布时间：2023-10-07
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[技术讨论] 交流MOSFET的损耗估算方法
有段时候没来论坛了，疫情反反复复的，公司开开停停，上班也跟着没规律起来了。产品也做的断断续续，刚好有个MOS温升的案子可以拿出来讨论讨论的。电子产品的使用需要用到电源，BUCK电源是常用的电路，这个就需要对...
发布时间：2023-10-07
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VK36E4 4按键触摸触控IC替代传统按键灵敏度可调
芯片内部采用特殊的集成电路，具有高电源电压抑制比，可 减少按键检测错误的发生，此特性保证在不利环境条件的应用中芯片仍具有很高的可靠性。 此触摸芯片具有自动校准功能，低待机电流，抗电压波动等特性，为各种...
发布时间：2023-01-08
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86触摸开关/台扇/空调/智能家居/家电等，低功耗高抗干扰3键3路3通触摸IC-VK3603 ESOP8，性能稳定，灵敏度...
芯片内部采用特殊的集成电路，具有高电源电压抑制比，可 减少按键检测错误的发生，此特性保证在不利环境条件的应用中芯片仍具有很高的可靠性。 此触摸芯片具有自动校准功能，低待机电流，抗电压波动等特性，为各种...
发布时间：2023-01-08
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低功耗抗噪 高抗干扰6路6通道6键触摸触控IC-VK3606D SOP16，适用智能家居、大小家电、厨房秤等，性能稳定，...
芯片内部采用特殊的集成电路， 具有高电源电压抑制比，可减少按键检测错误的发生，此特性保证在不利环境条件的应用中芯 片仍具有很高的可靠性。此触摸芯片具有自动校准功能，低待机电流，抗电压波动等特性，为各种6...
发布时间：2023-01-08
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ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法
编辑-ZMOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高，而栅极和源极之间的电容很小，很容易被外界电磁场或静电的感应充电，少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压，会损坏管子。...
发布时间：2022-10-22