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AUIRF8739L2TR 晶体管, 汽车用MOSFET, N沟道,40 V(PDF)

时间:2022-08-24 12:00:01 tr35w功率电阻f金属封装大功率晶体管

优点
技术先进
汽车电机驱动,DC-DC 优化了其他重负载应用
占地面积很小,低调
高功率密度
低寄生参数
双面冷却
175°C 工作温度
雪崩高达允许重复 Tjmax
无铅、符合 RoHS 标准,无卤素
汽车合格

20V至40V N通道汽车用MOSFET符合汽车应用类AEC-Q101标准有多种包装可供选择,包括D-PAK、TOLL (HSOF-8)、TOLG (HSOG-8) 以及SSO8 (TDSON-8)。这些MOSFET应用广泛,包括EPS电机控制,3相和H桥电机,HVAC风扇控制,和PWM控制相结合的电动泵。

特征
N通道 - 增强模式
出色的RDS(on) 性能可以提高系统效率
开关和传导功率损耗较低,可提高散热系统的可靠性
质量和可靠性基准
宽电压范围:20V至40V
MSL1.峰值回流温度高达260°C
20V至40V MOSFET非常适合解决方案EPS电机控制,三相和H桥电机,HVAC风扇控制和电动泵
外观紧凑,散热性能优异
可靠的绿色封装,易于处理
符合汽车应用类AEC-Q101标准
功率MOSFET前端和后端零件的平均测试
提供支持AOI用于自动光学检测
包装种类繁多,设计灵活
绿色产品(符合RoHS指令)
100%经雪崩测试
工作温度范围-55°C至175°C

AUIRF8739L2TR 场效应管 MOSFET N-CH 40V 57A
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):57A(Ta),545A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导电阻(最大值):0.6 毫欧 @ 195A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):562 nC @ 10 V
Vgs(最大值):40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):17890 pF @ 25 V
FET 功能:-
功耗(最大值).8W(Ta),340W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面安装类型
供应商设备包装:DirectFET 等距 L8

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