制造商型号: | SQJ844AEP-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SQJ844AEP-T1_GE3
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SQJ844AEP-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJ844AEP-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 13.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 20 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
库存: 2933
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 15.692147 | 15.69 |
10 | 13.97466 | 139.75 |
100 | 10.894303 | 1089.43 |
500 | 8.999629 | 4499.81 |
1000 | 7.104959 | 7104.96 |