制造商型号: | SIS782DN-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SIS782DN-T1-GE3
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SIS782DN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIS782DN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 9.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 30.5 nC
耗散功率 41 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 43 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 11 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIS782DN-GE3
单位重量 1 g
SIS782DN-T1-GE3 同类别型号
库存: 2774
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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品牌其他型号
SIS782DN-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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