制造商型号： | IRFPF50PBF |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
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SILICONIX(威世) IRFPF50PBF
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IRFPF50PBF 中文资料
数据手册PDF
IRFPF50PBF 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 6.7 A
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 200 nC
耗散功率 190 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 37 ns
正向跨导（Min） 4.9 S
上升时间 34 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 130 ns
典型接通延迟时间 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 48.096277 | 48.10 |
| 10 | 43.178162 | 431.78 |
| 100 | 35.377886 | 3537.79 |
| 500 | 30.116225 | 15058.11 |
| 1000 | 25.399247 | 25399.25 |
品牌其他型号
IRFPF50PBF品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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