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SILICONIX(威世) SI1302DL-T1-E3

SILICONIX(威世) SI1302DL-T1-E3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SI1302DL-T1-E3

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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SI1302DL-T1-E3 中文资料

SI1302DL-T1-E3 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 640 mA

漏源电阻 480 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 1.4 nC

耗散功率 310 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI1302DL-T1-BE3 SI1302DL-E3

单位重量 6.200 mg

库存: 64467

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥5.224079 总价:¥5.22
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 5.224079 5.22
10 4.465344 44.65
100 3.103352 310.34
500 2.422729 1211.36
1000 1.969229 1969.23
品牌其他型号
SI1302DL-T1-E3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SI1302DL-T1-E3、查询SI1302DL-T1-E3代理商; SI1302DL-T1-E3价格批发咨询客服;这里拥有 SI1302DL-T1-E3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SI1302DL-T1-E3替代型号SI1302DL-T1-E3数据手册PDF