制造商型号： | CSD88539NDT |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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TI(德州仪器) CSD88539NDT
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CSD88539NDT 中文资料
数据手册PDF
CSD88539NDT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 11.7 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.6 V
栅极电荷 7.2 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 74 mg
库存： 12267
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 12.029185 | 12.03 |
| 10 | 10.766122 | 107.66 |
| 100 | 8.395169 | 839.52 |
品牌其他型号
CSD88539NDT品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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