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CSD88539NDT

CSD88539NDT

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  CSD88539NDT  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 V

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SO


立创商城:
2个N沟道 60V 15A


得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC


德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual SO-8, 28 mOhm


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 15 A, 0.023 ohm, SOIC, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin SOIC T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 6.3A 8-Pin SOIC T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 15A; 2.1W; SO8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD88539NDT  Dual MOSFET, Dual N Channel, 15 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 V


Win Source:
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC / Mosfet Array 2 N-Channel Dual 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SOIC


CSD88539NDT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.023 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2.1 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 15A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 741pF @30VVds

额定功率Max 2.1 W

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

CSD88539NDT引脚图与封装图
CSD88539NDT引脚图

CSD88539NDT引脚图

CSD88539NDT封装图

CSD88539NDT封装图

CSD88539NDT封装焊盘图

CSD88539NDT封装焊盘图

在线购买CSD88539NDT
型号 制造商 描述 购买
CSD88539NDT TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  CSD88539NDT  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号CSD88539NDT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD88539NDT

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC Dual N-Channel 60V 15A

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  CSD88539NDT  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 V

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型号: CSD88539ND

品牌: 德州仪器

封装: SOIC Dual N-Channel 60V 15A

完全替代

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CSD88539NDT和CSD88539ND的区别