CSD88539ND、CSD88539NDT对比区别

高亮显示差异参数

型号 CSD88539ND CSD88539NDT

描述 TEXAS INSTRUMENTS  CSD88539ND  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 VTEXAS INSTRUMENTS  CSD88539NDT  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 8

漏源极电阻 0.023 Ω 0.023 Ω

极性 Dual N-Channel Dual N-Channel

耗散功率 2.1 W 2.1 W

阈值电压 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 15A 15A

上升时间 9 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 741pF @30V(Vds) 741pF @30V(Vds)

额定功率(Max) 2.1 W 2.1 W

下降时间 4 ns 4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2100 mW 2100 mW

长度 4.9 mm -

宽度 3.9 mm -

高度 1.75 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8

材质 Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15