| | MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-XFBGA 供应商器件封装: 6-PicoStar |
| | MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-XFBGA 供应商器件封装: 6-PicoStar |
| | MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-UFBGA, DSBGA 供应商器件封装: 6-DSBGA (1x1.5) |
| | MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-UFBGA, DSBGA 供应商器件封装: 6-DSBGA (1x1.5) |
| | MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-UFBGA, DSBGA 供应商器件封装: 6-DSBGA (1x1.5) |
| | MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 9-UFBGA, DSBGA 供应商器件封装: 9-DSBGA |
| | MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 9-UFBGA, DSBGA 供应商器件封装: 9-DSBGA |
| | MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 9-UFBGA, DSBGA 供应商器件封装: 9-DSBGA |
| | MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-UFBGA, DSBGA 供应商器件封装: 6-DSBGA (1x1.5) |
| | MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-UFBGA, DSBGA 供应商器件封装: 6-DSBGA (1x1.5) |
| | MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 6-UFBGA, DSBGA 供应商器件封装: 6-DSBGA (1x1.5) |
| | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: 8-VSON (3.3x3.3) |
| | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: 8-VSON (3.3x3.3) |
| | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: 8-VSON (3.3x3.3) |
| | SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerTDFN 供应商器件封装: 8-VSON-CLIP (5x6) |
| | SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerTDFN 供应商器件封装: 8-VSON-CLIP (5x6) |
| | SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerTDFN 供应商器件封装: 8-VSON-CLIP (5x6) |
| | SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 125°C 封装/外壳: 8-PowerTDFN 供应商器件封装: 8-VSON (3.3x3.3) |
| | SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 125°C 封装/外壳: 8-PowerTDFN 供应商器件封装: 8-VSON (3.3x3.3) |
| | SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 125°C 封装/外壳: 8-PowerTDFN 供应商器件封装: 8-VSON (3.3x3.3) |
| | MOSFET 20V 1.5A DMOS 24-DW 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: Surface Mount 工作温度: -40°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 供应商器件封装: 24-SOIC |
| | 30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: 8-VSON (3.3x3.3) |
| | 30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: 8-VSON (3.3x3.3) |
| | 30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: 8-VSON (3.3x3.3) |
| | MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 5-LGA 供应商器件封装: 5-PTAB (5x3.5) |
| | MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 5-LGA 供应商器件封装: 5-PTAB (5x3.5) |
| | MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 5-LGA 供应商器件封装: 5-PTAB (5x3.5) |
| | MOSFET 2N-CH 30V 25A 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerLDFN 供应商器件封装: 8-LSON (3.3x3.3) |
| | MOSFET 2N-CH 30V 25A 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerLDFN 供应商器件封装: 8-LSON (3.3x3.3) |
| | MOSFET 2N-CH 30V 25A 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerLDFN 供应商器件封装: 8-LSON (3.3x3.3) |
| | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerLDFN 供应商器件封装: 8-LSON (5x6) |
| | MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: NexFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerLDFN 供应商器件封装: 8-LSON (5x6) |