制造商型号: | CSD87384M |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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TI(德州仪器) CSD87384M
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CSD87384M 中文资料
数据手册PDF
CSD87384M 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 6.4 mOhms, 1.95 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 7.1 nC, 31 nC
耗散功率 8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7.6 ns, 8.2 ns
正向跨导(Min) 67 S, 240 S
上升时间 56 ns, 49 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns, 29 ns
典型接通延迟时间 8.7 ns, 17.5 ns
规格参数
开发套件 CSD87384MEVM-603
外形参数
高度 0.45 mm
长度 5 mm
宽度 3.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Synchronous Buck NexFET Power Stage
单位重量 71.600 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 2500 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥12.6711 总价:¥31677.75 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 12.6711 | 31677.75 |
品牌其他型号
CSD87384M品牌厂家:TI
,所属分类: 射频晶体管
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