制造商型号： | DMN63D8LW-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) DMN63D8LW-13
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DMN63D8LW-13 中文资料
数据手册PDF
DMN63D8LW-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 380 mA
漏源电阻 2.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 900 pC
耗散功率 420 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16.7 ns
正向跨导（Min） 80 mS
上升时间 3.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11.4 ns
典型接通延迟时间 2.3 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
DMN63D8LW-13 引脚图与封装图
DMN63D8LW-13引脚图
DMN63D8LW-13封装图
DMN63D8LW-13封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 10000 | 0.18119 | 1811.90 |
| 30000 | 0.178007 | 5340.21 |
| 50000 | 0.159905 | 7995.25 |
| 100000 | 0.141803 | 14180.30 |
| 250000 | 0.138561 | 34640.25 |
品牌其他型号
DMN63D8LW-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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