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CSD87384M、CSD87384MT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD87384M CSD87384MT

描述 同步降压 NexFET 电源块,CSD87384M30V、N 沟道同步降压 NexFET MOSFET™、5x3.5 LGA、30A 5-PTAB -55 to 150

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电源配件MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 5

封装 PTAB-5 LGA-5

漏源极电阻 - 0.0064 Ω

极性 - Dual N-Channel

耗散功率 3.7 W 8 W

阈值电压 - 1.9 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 1150pF @15V(Vds) 1150pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 8 W 8 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3700 mW 3700 mW

电源电压(Max) 8 V -

电源电压(Min) 4.5 V -

封装 PTAB-5 LGA-5

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 -