制造商型号: | SI4936ADY-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SI4936ADY-T1-E3
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SI4936ADY-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI4936ADY-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5.9 A
漏源电阻 36 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 13 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 15 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 6 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4936ADY-E3
单位重量 74 mg
SI4936ADY-T1-E3 同类别型号
库存: 780
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 26.267351 | 26.27 |
10 | 20.478166 | 204.78 |
30 | 20.118142 | 603.54 |
100 | 19.758118 | 1975.81 |
品牌其他型号
SI4936ADY-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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