制造商型号： | SIHG28N60EF-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V 28A TO-247AC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SIHG28N60EF-GE3
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SIHG28N60EF-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHG28N60EF-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 28 A
漏源电阻 123 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存： 497
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 77.966509 | 77.97 |
| 10 | 69.984518 | 699.85 |
| 25 | 66.168978 | 1654.22 |
| 100 | 52.933206 | 5293.32 |
| 250 | 49.992472 | 12498.12 |
| 500 | 47.051738 | 23525.87 |
| 1000 | 40.288051 | 40288.05 |
| 2500 | 39.699904 | 99249.76 |
品牌其他型号
SIHG28N60EF-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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