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SI4936ADY-T1-E3

SI4936ADY-T1-E3

数据手册.pdf

MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 30V; RDSON 0.032Ω; ID 4.4A; SO-8; PD 1.1W; VGS +/-20

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R


Allied Electronics:
MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 30V; RDSON 0.032Ohm; ID 4.4A; SO-8; PD 1.1W; VGS +/-20


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
双 N 沟道 30 V 0.036 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R


SI4936ADY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.053 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 1.1 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 5.90 A

上升时间 14 ns

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOP-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.55 mm

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI4936ADY-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI4936ADY-T1-E3
型号 制造商 描述 购买
SI4936ADY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 30V; RDSON 0.032Ω; ID 4.4A; SO-8; PD 1.1W; VGS +/-20 搜索库存