制造商型号: | SQJ560EP-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SQJ560EP-T1_GE3
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SQJ560EP-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJ560EP-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 30 A, 18 A
漏源电阻 12 mOhms, 52.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V, 2.5 V
栅极电荷 30 nC, 45 nC
耗散功率 34 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4 ns, 5 ns
正向跨导(Min) 56 S, 16 S
上升时间 4 ns, 6 ns
典型关闭延迟时间 20 ns, 27 ns
典型接通延迟时间 12 ns, 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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3000 | 4.337094 | 13011.28 |