制造商型号： | SIS413DN-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多SIS413DN-T1-GE3价格库存等采购信息！ |
SILICONIX(威世) SIS413DN-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SIS413DN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIS413DN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 9.4 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 73 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 50 S
上升时间 11 ns, 82 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns, 45 ns
典型接通延迟时间 11 ns, 55 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥7.660733 总价：￥7.66 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.660733 | 7.66 |
| 10 | 6.721675 | 67.22 |
| 100 | 5.157403 | 515.74 |
| 500 | 4.077486 | 2038.74 |
| 1000 | 3.26199 | 3261.99 |
品牌其他型号
SIS413DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIS413DN-T1-GE3、查询SIS413DN-T1-GE3代理商； SIS413DN-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SIS413DN-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
SIS413DN-T1-GE3替代型号
、
SIS413DN-T1-GE3数据手册PDF。