制造商型号： | SI4431BDY-T1-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI4431BDY-T1-E3
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SI4431BDY-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI4431BDY-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.5 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 47 ns
正向跨导（Min） 18 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4431BDY-E3
单位重量 187 mg
库存： 57867
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 14.930411 | 14.93 |
| 10 | 13.342358 | 133.42 |
| 100 | 10.401068 | 1040.11 |
| 500 | 8.591773 | 4295.89 |
| 1000 | 6.782887 | 6782.89 |
品牌其他型号
SI4431BDY-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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